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MOS管和IGBT管如何識別?
添加時間:2020-12-7 14:50:18 出處:恒南電子 作者:恒南電子 點擊:445

MOS管和IGBT管作為現代電子設備使用頻率較高的新型電子器件,因此在電子電路中常常碰到也習以為常?墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態參數相似的很,有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙!


MOS管


MOS管即MOSFET,中文名金屬氧化物半導體絕緣柵場效應管。其特性,輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性。


IGBT管


IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應晶體管,是MOS管與晶體三極管的組合,MOS是作為輸入管,而晶體三極管作為輸出管。于是三極管的功率做的挺大,因此兩者組合后即得到了MOS管的優點又獲得了晶體三極管的優點。


綜上所述的兩種晶體管,是目前電子設備使用頻率很高的電子元器件,兩者在外形及靜態參數極其相似,某些電子產品是存在技術壟斷, 在電路中有時它們的型號是被擦掉的,截止目前,它們在命名標準及型號統又沒有統一標準,而外型及管腳的排列相似,根本無規律可循,成為維修過程中的攔路虎,如何區分和判斷成為必要手段。

MOS管和IGBT管的辨別


帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管的識別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管它們的柵極位置一樣,IGBT管的C極位置跟MODS管的D極位置相對應,IGBT管的e極位置跟MODS管的S極位置相對應,對它們的好壞判斷及及區分可以用動靜態測量方法來完成。


一、靜態測量判斷MOS管和IGBT管的好壞


先將兩個管子的管腳短路放掉靜電,MOS管的D極與S極之間有個PN接,正向導通反向截止,于是有Rgd=Rgs=Rds=無窮大,Rsd=幾千歐。IGBT管的G極到c、e極的電阻應為無窮大,即Rgc=Rge=無窮大,而IGBT管的之間有阻尼二極管的存在,因此具有單向導電反向截止特性,即Rce=無窮大,Rec=幾千歐。從這里只能用萬用表的電阻檔判斷出管子的好壞,卻區分不出是那種管子。測量得阻值很小,則說明管子被擊穿,測量阻值很大,說明管子內部斷路。


動態測量區分MOS管和IGBT管


先用萬用表給管子的柵極施加電壓,是場效應管建立起溝道,然后測量D、S及c、e之間的阻值,根據阻值的差異來區分MOS管和IGBT管。


用萬用表的電阻檔測量兩個管子的D、S及c、e之間的電阻,由于場效應管已經建立溝道,Rds=Rsd≈0,而Rce之間呈現電阻Rce,晶體三極管處于放大狀態的導通電阻,Rec為內部阻尼二極管的導通電阻,兩者均為幾千歐。因此根據測量可知,兩個管子的導通程度不一樣,MOS管的D、S之間電阻值是遠小于IGBT管c、e之間的電阻值,于是可以分辨出MOS與IGBT管。


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